Кузнецова, Яна Андреевна. Мониторинг поверхности GaAs как способ контроля температуры при молекулярно-пучковой эпитаксии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника» = Control of GaAs surface as a method of molecular beam epitaxy growth temperature verification / Я. А. Кузнецова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций; научный руководитель М. Я. Винниченко; консультант по нормоконтролю Т. А. Гаврикова. — Санкт-Петербург, 2021. — 1 файл (1,6 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/vr21-4705.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-4705-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-4705-a.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4705. — Текст