Детальная информация

Название: Тригональные анизотропные дефекты, подверженные эффекту Яна-Теллера: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 03.03.02 «Физика» ; образовательная программа 03.03.02_08 «Физика и технология наноструктур»
Авторы: Майоров Николай Сергеевич
Научный руководитель: Аверкиев Никита Сергеевич
Другие авторы: Каасик Владимир Паулович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: фотолюминесценция; арсенид галия; тригональные дефекты; эффект Яна-Теллера; photoluminescence; galium arsenide; trigonal deffects; Jan-Teller effect
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 03.03.02
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-5207
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\13724

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена рассмотрению влиянию примеси 6-й группы – Теллура в GaAs и рассмотрению сложного вакансионного тригонального дефекта, обусловленного введением данной примеси. Делается попытка применить модель Ян-Теллеровской молекулы для объяснения наблюдаемой фотолюминесценции. Задачи, которые решались в ходе исследования: - изучение обзоров по физике дефектов в полупроводниках и теории глубоких уровней в кристаллах. - Выяснение роли примесей, дающих глубокие уровни, на излучение и поглощение света в GaAs. Теорема Яна-Теллера для молекул и для дефектных комплексов. - Приложение модели анизотропного комплекса к вакансионному дефекту VaGaTeAs в GaAs. Расчет равновесных конфигураций дефекта в рамках (Е+А1) ∙ е задачи для тригонального комплекса и волновых функций локализованных электронов в приближении бесконечно тяжелых масс. - Оценка параметров задачи и сравнение с экспериментальными данными. Расчет минимума адиабатического потенциала и все вычисления производился в среде Matlab 2017. По результатам полученным в расчете можно сказать, что рассмотренная в работе модель и ее применение для расчета угла ориентации излучающего и поглощающего диполя позволяет уменьшить набор параметров, рассматриваемых в задаче. Полученные значения углов для некоторых наборов параметров укладываются в наблюдаемые на эксперименте значения.

This work is devoted to considering the effect of a Group 6 impurity, Tellurium, in GaAs and considering a complex vacancy trigon defect caused by the introduction of this impurity. This work is an attempt to apply the Jahn-Teller molecule model to explain the observed photoluminescence. The following tasks were set to solve: - studying of reviews on the physics of defects in semiconductors and the theory of deep levels in crystals. - Ascertainment of the role of impurities, giving deep levels, on the emission and absorption of light in GaAs. The Jahn-Teller theorem for molecules and for defective complexes. - Application of the anisotropic complex model to the VaGaTeAs vacancy defect in GaAs. Calculation of the equilibrium configurations of a defect in model of the problem (Е + А1) ∙ е for a trigon complex and wave functions of localized electrons in the approximation of infinitely heavy masses. - Evaluation of the parameters of the problem and comparison with experimental data. The calculation of the minimum of the adiabatic potential and all calculations were made in the Matlab 2017 environment. Because of the results obtained in the calculation, we can say that the model considered in the work and its application for calculating the angle of orientation of the emitting and absorbing dipoles makes it possible to reduce the set of parameters considered in the problem. The obtained values of the angles for some sets of parameters fit into the experimentally observed values.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 3
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика