Эта работа посвящена изучению кремниево-германиевых (SiGe) усилителей мощности. В этой работе были рассмотрены различные виды SiGe усилителей мощности. В частности, усилители мощности с распределенным усилением, а также усилители мощности с сосредоточенным усилением. Среди усилителей с сосредоточенным усилением были рассмотрены однокаскадные и многокаскадные усилители мощности. Среди многокаскадных же усилителей мощности были рассмотрены усилители с последовательным, с параллельным и комбинированным соединениями. Также были рассмотрены отдельные каскады усилителей мощности. Так, было выявлено, что в основном, в кремниево-германиевых усилителях мощности применяются каскады, построенные на одном транзисторе с общим эмиттером, каскодной схеме и схеме с повышенным напряжением питания. По классам же усилителей мощности было выявлено, что линейные классы SiGe усилителей мощности применяются чаще, имеют более высокую линейность, но не такой высокий коэффициент добавленной мощности, как усилители, работающие в ключевых классах.

This work is devoted to the study of silicon-germanium (SiGe) power amplifiers. In this paper, various types of SiGe power amplifiers were considered. In particular, power amplifiers with distributed gain, as well as power amplifiers with concentrated gain. Single-stage and multi-stage power amplifiers were considered among the amplifiers with concentrated gain. Among the multi-stage power amplifiers, the amplifiers with serial, parallel and combined connections were considered. Separate stages of power amplifiers were also considered. So, it was revealed that basically, in silicon-germanium power amplifiers, cascades are used, built on a single transistor with a common emitter, a cascode circuit and a circuit with an increased supply voltage. As for the classes of power amplifiers, it was found that the linear classes of SiGe power amplifiers are used more often, have a higher linearity, but not such a high added power factor as amplifiers operating in key classes.