Детальная информация

Название: Дислокационная структура объемных кристаллов нитрида алюминия, выращенных сублимационным методом, по данным просвечивающей электронной микроскопии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 15.03.03 «Прикладная механика» ; образовательная программа 15.03.03_04 «Микромеханика структурных изменений, прочности и пластичности»
Авторы: Черчиев Расул Омарович
Научный руководитель: Гуткин Михаил Юрьевич
Другие авторы: Калмыков А.Е.
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Физико-механический институт
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2022
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: объемный кристалл; нитрид алюминия; дислокации; просвечивающая электронная микроскопия; bulk crystal; aluminum nitride; dislocations; transmission electron microscopy
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 15.03.03
Группа специальностей ФГОС: 150000 - Машиностроение
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-2038
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно: Новинка
Ключ записи: ru\spstu\vkr\18895

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Выпускная квалификационная работа посвящена исследованию структуры объемных кристаллов нитрида алюминия (AlN), выращенных методом сублимации на карбидокремниевой подложке. Изучена дислокационная структура кристаллов, особое внимание уделено источникам дислокаций. Приведен литературный обзор, в котором показана перспективность использования объемных кристаллов нитрида алюминия в различных отраслях микроэлектроники. Анализируются данные просвечивавшей электронной микроскопии относительно дефектной структуры исследуемых объектов. Дана оценка плотности дефектов структуры кристалла, выявлены источники дислокаций. Экспериментальные данные были получены с использованием оборудования Центра коллективного пользования (ЦКП) «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях», функционирующий на базе ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Структурное состояние изучалось методом просвечивающей электронной микроскопии с помощью электронного микроскопа PHILIPS EM420 с ускоряющим напряжением 100 кВ. Исследование проводилось в трех режимах: в режимах дифракционного контраста (темное и светлое поле) и микродифракции.

The final qualifying work is devoted to the study of the structure of aluminum nitride (AlN) crystals grown by sublimation on a silicon carbide substrate. The dislocation structure of crystals has been studied, and special attention has been paid to the sources of dislocations. A literature review is given, which considers the prospects of using bulk aluminum nitride crystals in various industries of microelectronics. The transmission electron microscopy data on the defect structure of research object is analyzed. The estimation of defects in crystal structures is given, the sources of dislocations are revealed. Experimental data were obtained using the equipment of the Center for Collective Use (CUC) "Materials Science and Diagnostics in Advanced Technologies", which operates on the basis of the FTI A.F. Ioffe. The structural state  studied by method of transmission electron microscopy using a PHILIPS EM420 microscope with a accelerating voltage of 100 kV. The study was carried out in three modes: in the modes of diffraction contrast (dark and bright field) and microdiffraction.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика