В данной работе исследовались особенности роста гетероструктур GaNпри помощи методов плазменной и аммиачной МЛЭ. От выбора метода будутзависеть физические свойства выходного продукта, поэтому методы выбираютсяв зависимости от поставленной задачи. В зависимости от выбора метода МЛЭтакже доступны разные методы контроля процесса роста. Регулируемыми свойствами гетероструктур обычно являются объемная подвижность, подвижность носителей двумерного газа и плотность дислокаций. Для данной работы был произведен рост гетероструктур при помощи специально оборудованной МЛЭ установки. Во время процесса проводился контроль и диагностика. Были проведены измерения физических свойств гетероструктур и выведены закономерности с методами роста.

This paper contains the results of plasma- and ammonia- assisted MBE research.Based on the method choice, produced heterostructures will have varying physicalproperties. Also, based on the selection, different control methods will are availableduring the process. The main physical properties of interest are mobility, 2D electrongas mobility and dislocation destiny. For this project, the epitaxy of heterostructures was conducted via an MBEsystem. During the process, control and diagnosis were conducted. Physical propertiesof the acquired heterostructures were measured and appropriated to MBE methodchoice.