Детальная информация

Название: Применение ионно-лучевого травления в процессе изготовления акустической линии задержки: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии наноматериалов и изделий микросистемной техники»
Авторы: Застрижная Марина Леонидовна
Научный руководитель: Афанасьева Елена Владимировна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2022
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: ионно-лучевое травление; ниобат лития; акустическая линия задержки; скорость травления; глубина травления; установка ионно-лучевого травления; ion beam etching; lithium niobate; acoustic delay line; etching speed; etching depth; ion beam etching installation
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 28.03.01
Группа специальностей ФГОС: 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-2270
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\19566

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Цель работы – применение ионно-лучевого травления в процессе изготовления акустической линии задержки. В ходе работы был использован метод ионно-лучевого травления для того, чтобы проверить правильно ли заявлена модельным вариантом установки ионно-лучевого травления глубина травления. Для проверки нужно было провести эксперимент, а именно измерить потери сигнала при заданных аспектах, который как раз и показал, за какое время при возможных потерях глубина залегания будет отличаться от заданной моделью. Образцом является подложка из монокристаллического ниобата лития, потому что он чаще всего используют как звукопровод, потому что это позволяет сделать подложку довольно большой длины. В результате проведенного опыта стало понятно, за какое время при возможных потерях глубина залегания будет отличаться от заданной моделью. Глубина травления получилась равной ~ 600 ± 30 Å при времени 1180 с. Это является наилучшим результатом при потерях в 44 дБ, при том, что максимальное возможное значение – 48дБ. Следовательно, в итоге можно сделать вывод, что на практике характеристики модельного варианта установки отличаются и всегда стоит это учитывать и проверять.

The purpose of the work is the use of ion beam etching in the process of manufacturing an acoustic delay line.In the course of the work, the ion-beam etching method was used in order to check whether the etching depth was correctly declared by the model version of the ion-beam etching installation. To test it, it was necessary to conduct an experiment, namely, to measure signal losses at specified aspects, which just showed how long, with possible losses, the depth of occurrence would differ from the specified model. The sample is a substrate made of monocrystalline lithium niobate, because it is most often used as a sound conductor, because it allows you to make a substrate of a fairly large length.As a result of the conducted experience, it became clear for how long, with possible losses, the depth of occurrence will differ from the specified model. The etching depth turned out to be ~ 600 ± 30 Å at a time of 1180 s. This is the best result with a loss of 44 dB, despite the fact that the maximum possible value is 48dB. Consequently, as a result, we can conclude that in practice the characteristics of the model version of the installation are different and it is always worth taking this into account and checking.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика