Объект исследования – пленка полисульфона. Цель работы – выяснение особенностей диэлектрических свойств (диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь) тонкой пленки полисульфона при комнатной температуре. Данная работа посвящена изучению диэлектрических свойств тонких пленок полисульфона в диапазоне частот от 25 Гц до 2 МГц. Целью работы являлось выяснение особенностей диэлектрических свойств (диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь) тонкой пленки полисульфона при комнатной температуре. Для измерений диэлектрических характеристик пленки была разработана специальная измерительная ячейка с использованием напыленного алюминиевого электрода и электрода, металлизированного индий-галлиевой эвтектикой. В качестве измерительного прибора были использованы измерители иммитанса Е7-20 и Е7-29, позволяющие проводить измерения в диапазоне частот от 25 Гц до 1 МГц и от 50 кГц до 2 МГц соответственно. В результате работы были получены и проанализированы частотные зависимости емкости, тангенса диэлектрических потерь, диэлектрической проницаемости и фактора диэлектрических потерь пленки полисульфона. Полученные в ходе исследования результаты могут быть использованы при разработке конденсаторов, изготавливаемых на основе пленок полисульфона.

The subject of the graduate qualification work is “Dielectric properties of polysulfone film”. The given work is devoted to studying the dielectric properties of polysulfone thin film in the frequency range from 25 Hz to 2 MHz. The main point of the work was to find out the features of dielectric properties (dielectric constant and dielectric loss) of polysulfone thin film at ambient temperature. To take measurements there was created a special measuring cell with using an aluminium sprayed electrode and electrode metalized with indium-gallium eutectics. As a measuring device was used two immittance measurers Е7-20 and Е7-29, which afford to make measurements in the frequency range from 25 Hz to 1 MHz and from 50 kHz to 2 MHz accordingly. As a result, there were got and analyzed frequency addictions of capacity, dielectric loss tangent, dielectric constant and dielectric loss factor of polysulfone thin film. Results obtained in the course of the study may be used in the design of capacitors based on polysulfone films.