Детальная информация

Название: Получение ZnS методом CVD: выпускная квалификационная работа магистра: направление 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» ; образовательная программа 22.04.01_01 «Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники»
Авторы: Дудаева Лиза Гивиевна
Научный руководитель: Семенча Александр Вячеславович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2022
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: ZNS; ER; ERS; сульфид цинка; напыление; химическое вакуумное напыление; ZINC sulfide; sputting; chemical vacuum sputting
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 22.04.01
Группа специальностей ФГОС: 220000 - Технологии материалов
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-3860
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно: Новинка
Ключ записи: ru\spstu\vkr\18469

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Тема выпускной квалификационной работы: «Получение ZnS методом CVD».Цель работы: разработать методику, установку и технологию получения сульфида цинка.Предмет исследования: ZnS на кварцевой и бромида калия подложках, взаимодействие цинка с серой, взаимодействие цинка с эрбием, получение сульфида эрбия.Область применения: усилители и детекторы ультразвука, инфракрасные датчики, лазеры, люминофоры, солнечные элементы, светодиоды, фотохимических ячейки, инфракрасные детекторы, катализаторы, переключатели сопротивления и энергонезависимые устройства памяти.В работе рассматривается технология производства сульфида серы для дальнейшего изучения в рамках для ИК детекторов, усилителей, люминофоров и лазеров. Задачи выпускной квалификационной работы:– анализ научно-технической информации о свойствах и особенностях получения сульфида цинка в производстве, а также о технологии получения эрбия как перспективного материала для взаимодействия с сульфидом цинка.– измерить характеристики полученных образцов методов рентгеноанализа и микроскопии;– подобрать основные и вспомогательные реагенты для синтеза– разработать технологию получения сульфида цинка;-разработать установку для получения сульфида цинка;-провести анализ полученных образцов сульфида цинка.В работе описана технология получения тонкопленочного сульфида цинка   , осажденного методом химического осаждения из газовой фазы (CVD). Приведены результаты изучения морфологии и структурных свойств полученных пленок, проведенных методами высокоразрешающей сканирующей микроскопии, рентгеноструктурного анализа и инфракрасной спектроскопии.Специально для выполнения данной работы разработана двухзонная лабораторная установка, работающая при пониженных давлениях с контролем скорости потока инертного газа.Проведенные исследования позволили определить оптимальные температурно-временные режимы получения сульфида цинка, которые можно определить как: температура сульфидизации цинка 450 0С, время сульфидизации – 60 мин, скорость потока газа-носителя 2 л/мин, давление – 100 mbar.

The topic of the final qualification work: "Obtaining ZnS by the CVD method".The purpose of the work: to develop a methodology, installation and technology for the production of zinc sulfide.Subject of research: ZnS on quartz and potassium bromide substrates, interaction of zinc with sulfur, interaction of zinc with erbium, production of erbium sulfide.Applications: Ultrasound amplifiers and detectors, infrared sensors, lasers, phosphors, solar cells, LEDs, photochemical cells, infrared detectors, catalysts, resistance switches and non-volatile memory devices.The paper considers the technology for the production of sulfur sulfide for further study in the framework for IR detectors, amplifiers, phosphors and lasers. Tasks of the final qualifying work:– analysis of scientific and technical information on the properties and features of obtaining zinc sulfide in production, as well as on the technology for obtaining erbium as a promising material for interaction with zinc sulfide.- to measure the characteristics of the obtained samples by X-ray analysis and microscopy;– choose the main and auxiliary reagents for synthesis– to develop a technology for obtaining zinc sulfide;- to analyze the samples of zinc sulphide and develop a plant for the production zink sulphide.The paper describes a technology for producing thin-film zinc sulfide deposited by chemical vapor deposition (CVD). The results of studying the morphology and structural properties of the films obtained by high-resolution scanning microscopy, X-ray diffraction analysis, and infrared spectroscopy are presented.Especially for this work, a two-zone laboratory setup was developed that operates at reduced pressures with control of the inert gas flow rate.The studies carried out made it possible to determine the optimal temperature-time regimes for obtaining zinc sulfide, which can be defined as: zinc sulfidization temperature 450 0C, sulfidization time - 60 min, carrier gas flow rate 2 l/min, pressure - 100 mbar.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Глава 1. Нанокристаллические пленки А В : синтез, структура, свойства
  • 1.1. Введение
  • 1.2 . Полупроводниковые соединения типа А2B6: свойства и особенности.
  • 1.3. Методы получения сульфида и селенида цинка.
    • 1.3.1. Синтез сульфида цинка путем химического осаждения из паровой фазы с использованием металлоорганического прекурсора: ди-трет-бутилдисульфида
    • 1.3.2. Оптические свойства нанопорошков сульфида цинка и гетеронаноструктур ZnS/Ag2S.
    • 1.3.3. Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролюминесцентных источников
    • 1.3.4. Синтез и фотолюминесценция нанопроволок сульфида цинка методом простого термического химического осаждения из газовой фазы.
    • 1.3.5. Получение сульфида цинка методом CVD.
  • 1.4.6. Тонкие пленки ZnS, приготовленные с использованием метода PVD.
  • 1.4. Взаимодействие эрбия и сульфида цинка.
    • 1.4.1. Изучение квантовых точек
  • Глава 2. Приборы и методы эксперимента.
  • 2.1.Подготовка эксперимента
  • 2.2 Осаждение сульфида цинка
  • 2.3. Лабораторная установка для сульфидизации цинка
  • 2.3.Получение нанокристаллических пленок сульфида и эрбия.
  • 2.4. Методы исследований пленок
    • 2.4.1.Спектрокопия фурье.
  • 2.5. Экспериментальные результаты
  • 4. Заключение
  • 5. Список используемой литературы

Статистика использования

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика