Детальная информация

Данная работа посвящена изучению термоэлектрических свойств моносилицида кобальта и его твердых растворов с изовалентным замещением кремния на германий и углерод. В результате недавних исследование CoSi и растворов, был найден способ регулирования транспортных свойств, без значительного влияния на электронные. Полученные данные из разных источников свидетельствуют об успешности реализации данного метода, но различия в численных значениях, говорят о необходимости самостоятельной проверки. Целью работы является, произвести экспериментальные исследования кинетических коэффициентов и оценить свойства полученных растворов. В результате работы получены температурные зависимости термоэдс и электропроводности, CoSi и его твердых растворов   CoGe и CoC в диапазоне 100 – 800 К, а также теплопроводность в интервале 100 – 300 K. Была произведена оценка влияния изовалентного замещения на транспортные и электронные свойства образцов. Результаты работы показали, что изовалентное замещение кремния на германий значительно влияет на транспортные свойства состава, практически не изменяя электронные. Метод сплавления используемы в данной работе для получения кристаллов, требует некоторой корректировки, так как данные, полученные при замещении кремния на углерод, сигнализируют о появлении посторонних дефектах (фазе).

This work is devoted to the study of thermoelectric properties of cobalt monosilicide and its solid solutions with isovalent substitution of silicon for germanium and carbon. As a result of recent CoSi research and solutions, a way has been found to regulate transport properties without significantly affecting electronic properties. Data obtained from different sources indicate the success of the implementation of this method, but differences in numerical values indicate the need for independent verification. The aim of the work is to conduct experimental studies of kinetic coefficients and to evaluate the properties of the obtained solutions. As a result of the work, temperature dependences of thermal EMF and electrical conductivity of CoSi and its solid solutions of CoGe and CoC in the range of 100-800 K were obtained, as well as thermal conductivity in the range of 100-300 K. The effect of isovalent substitution on the transport and electronic properties of the samples was estimated. The results of the work showed that the isovalent replacement of silicon with germanium significantly affects the transport properties of the composition, practically without changing the electronic ones. The melting method used in this work to obtain crystals requires some adjustment, since the data obtained when replacing silicon with carbon signal the appearance of extraneous defects (phases).