Детальная информация
Название | Исследование графена на поверхности гексагональных политипов SiC методами атомно-силовой микроскопии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника» |
---|---|
Авторы | Малых Дмитрий Алексеевич |
Научный руководитель | Рыков Сергей Александрович ; Дунаевский М. С. |
Другие авторы | Гаврикова Татьяна Андреевна |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2022 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | графен ; однослойное и двухслойное графеновое покрытие ; высокотемпературный отжиг ; атомно-силовая микроскопия ; спектроскопия комбинационного рассеяния света ; graphene ; monolayer and double-layer graphene coatings ; high-temperature annealing ; atomic force microscopy ; raman spectroscopy |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Бакалавриат |
Код специальности ФГОС | 16.03.01 |
Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-963 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | ru\spstu\vkr\17118 |
Дата создания записи | 27.07.2022 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена изучению зависимости технологических параметров метода высокотемпературного отжига подложек карбида кремния на количество образуемого однослойного графена. Были исследованы области однослойного и двухслойного графена на поверхности 4H-SiC подложек методами Кельвин-зонд микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Экспериментально установлены основные параметры роста, при которых достигается минимальное значение двухслойных областей и которые позволяют выполнять синтез однослойного покрытия с долей до 95% поверхности подложки.
This work is devoted to the study of the dependence of the technological parameters of the method of high-temperature annealing of silicon carbide substrates on the amount of single-layer graphene formed. The regions of single-layer and double-layer graphene on the surface of 4H-SiC substrates were studied by Kelvin probe microscopy and Raman spectroscopy. The main growth parameters were experimentally established, at which the minimum value of two-layer regions is achieved and which allow one to synthesize a single-layer coating with a fraction of up to 95% of the substrate surface.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 7
За последние 30 дней: 0