Детальная информация

Название Исследование графена на поверхности гексагональных политипов SiC методами атомно-силовой микроскопии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Авторы Малых Дмитрий Алексеевич
Научный руководитель Рыков Сергей Александрович ; Дунаевский М. С.
Другие авторы Гаврикова Татьяна Андреевна
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2022
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика графен ; однослойное и двухслойное графеновое покрытие ; высокотемпературный отжиг ; атомно-силовая микроскопия ; спектроскопия комбинационного рассеяния света ; graphene ; monolayer and double-layer graphene coatings ; high-temperature annealing ; atomic force microscopy ; raman spectroscopy
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 16.03.01
Группа специальностей ФГОС 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-963
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи ru\spstu\vkr\17118
Дата создания записи 27.07.2022

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Данная работа посвящена изучению зависимости технологических параметров метода высокотемпературного отжига подложек карбида кремния на количество образуемого однослойного графена. Были исследованы области однослойного и двухслойного графена на поверхности 4H-SiC подложек методами Кельвин-зонд микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Экспериментально установлены основные параметры роста, при которых достигается минимальное значение двухслойных областей и которые позволяют выполнять синтез однослойного покрытия с долей до 95% поверхности подложки.

This work is devoted to the study of the dependence of the technological parameters of the method of high-temperature annealing of silicon carbide substrates on the amount of single-layer graphene formed. The regions of single-layer and double-layer graphene on the surface of 4H-SiC substrates were studied by Kelvin probe microscopy and Raman spectroscopy. The main growth parameters were experimentally established, at which the minimum value of two-layer regions is achieved and which allow one to synthesize a single-layer coating with a fraction of up to 95% of the substrate surface.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 7 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика