Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Данная работа посвящена изучению зависимости технологических параметров метода высокотемпературного отжига подложек карбида кремния на количество образуемого однослойного графена. Были исследованы области однослойного и двухслойного графена на поверхности 4H-SiC подложек методами Кельвин-зонд микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Экспериментально установлены основные параметры роста, при которых достигается минимальное значение двухслойных областей и которые позволяют выполнять синтез однослойного покрытия с долей до 95% поверхности подложки.
This work is devoted to the study of the dependence of the technological parameters of the method of high-temperature annealing of silicon carbide substrates on the amount of single-layer graphene formed. The regions of single-layer and double-layer graphene on the surface of 4H-SiC substrates were studied by Kelvin probe microscopy and Raman spectroscopy. The main growth parameters were experimentally established, at which the minimum value of two-layer regions is achieved and which allow one to synthesize a single-layer coating with a fraction of up to 95% of the substrate surface.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
![]() ![]() ![]() |
||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
![]() ![]() ![]() |
||||
![]() |
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
|
Количество обращений: 5
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |