В настоящей работе было произведено теоретическое исследование модели спинового фильтра, состоящего из полупроводника, обладающего сильным спин-орбитальным взаимодействием, и полупроводника, в котором спин-орбитальное взаимодействие пренебрежимо мало, разделённых тонким магнитным барьером, описывающимся в виде δ-функции. В результате исследований были получены аналитические зависимости коэффициентов при экспонентах в волновой функции от параметров налетающего на барьер потока электронов и вектора намагниченности барьера. На основе выведенных формул были построены графики зависимости степени спиновой поляризации от внешних параметров системы. Из анализа построенных графиков доказана возможность применения данной схемы для получения спин-поляризованного потока электронов, сделаны выводы об эффективности схемы.

In the present work a theoretical study of the model of a spin filter consisting of a semiconductor with a strong spin-orbit interaction and a semiconductor in which the spin-orbit interaction is negligible, separated by a thin magnetic barrier described in the form of a δ-function, was carried out. As a result of the studies, analytical dependences of the coefficients at the exponents in the wave function on the parameters of the electron flux deposited on the barrier and the magnetization vector of the barrier were obtained. Based on the derived formulas, curves of the dependence of the degree of spin polarization on the external parameters of the system were plotted. From the analysis of the curves, the possibility of using this scheme to obtain the spin-polarized electron flux was proved, and conclusions about the effectiveness of the scheme were drawn.