Структуры нитридов металлов третьей группы обладают отличительным свойством в сравнении с другими полупроводниками: высокие пробивные поля и радиационная и термическая стойкость, что позволяет использовать их в мощной СВЧ электронике. Наибольший интерес представляют нитрид галлия и нитрид алюминия-галлия. Ключевой целью работы являлось изучение влияния начальных стадий роста на свойства гетероструктур GaN/AlGaN с двумерным электронным газом полученным методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В процессе работы были решены следующие задачи: Получение при разных начальных условиях роста структур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN. Проведение контроля в процессе роста гетероструктур методом лазерной интерферометрии и дифракции быстрых электронов. Измерение свойств и физических параметров полученных структур. Обработка полученных данных. Использование различных методик на при росте буферных слоев (сурфактанта галлия, оптимизированного потока аммиака или повышение температуры подложки) позволяет значительно улучшить морфологию поверхности при росте кристалла и увеличить подвижность носителей в двумерном электронном газе.

The structures of group-III nitrides have a distinctive property in comparison with other semiconductors: high breakdown fields and radiation and thermal resistance, which allows them to be used in high-power microwave electronics. The most interesting are gallium nitride and aluminium-gallium nitride. The key objective of the work was to study the effect of the initial stages of growth on the properties of GaN/AlGaN heterostructures with a two-dimensional electron gas obtained by molecular beam epitaxy. In the process of work, the following tasks were solved: Growing of AlN / AlGaN / GaN / AlGaN heterostructures under various initial growth conditions. Monitoring during growth by the following methods: laser interferometry and RHEED. Measurement of the physical parameters of the final structures. Data analysisThe use of various approaches at the initial stage of the growth of buffer layers (Ga-surfactant or optimized ammonia flow and substrate temperature) can significantly increase the carrier mobility in a two-dimensional electron gas.