Details

Title: Разработка и исследование сигма-дельта модулятора псевдодифференциального типа: выпускная квалификационная работа магистра: направление 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.04.04_06 «Наноэлектроника и микроэлектромеханические системы»
Creators: Шелепневич Татьяна Эдуардовна
Scientific adviser: Пилипко Михаил Михайлович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2022
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Модуляторы; псевдодифференциальная схема; отношение сигнал/шум; signal-to-noise ratio; pseudodifferential circuit
UDC: 621.376; 534.853.2
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-368
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\20643

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Объект исследования – дельта-сигма АЦП. Предмет исследования – дельта-сигма модулятор псевдодифференциального типа с комбинированной связью. Цель работы – реализация псевдо-псевдо дифференциальной схемы и топологии модулятора по структуре с комбинированной связью. В результате исследования выполнена реализация модулятора псевдо-псевдо дифференциальной структуры второго порядка по КМОП технологии 180 нм, рассмотрены свойства модулятора при влиянии различных температур и разброса параметров. Реализована топология псевдо-псевдо-дифференциального модулятора, отношение сигнал/шум составило 70 дБ.

The subject of the graduate qualification work is “The study of delta-sigma modulators of pseudodifferential type”. The given work is devoted to the implementation of a second-order pseudo-differential structure modulator using a 180 nm CMOS technology. The properties of the modulator under the influence of various temperatures and the spread of parameters were considered. The topology of a pseudo-pseudo-differential modulator was implemented. The topology provides a signal-to-noise ratio of up to 70 dB.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • 2.4 Влияние температуры и разброса параметров на отношение сигнал/шум

Usage statistics

stat Access count: 2
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics