Детальная информация

Название Определение температуры Кюри примесной ферромагнитной подсистемы Si:P компенсированного радиационными дефектами: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Полупроводниковая фотоника и наноэлектроника»
Авторы Назыров Артур Антонович
Научный руководитель Мелентьев Григорий Александрович
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2023
Коллекция Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика температура Кюри; ферромагнетизм; радиационные дефекты; СКВИД; Curie temperature; ferromagnetism; radiation defects; SQUID
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 16.03.01
Группа специальностей ФГОС 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-4062
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи ru\spstu\vkr\23831
Дата создания записи 27.07.2023

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Данная  работа  посвящена исследованию ферромагнетизма образцов Si:P, легированных мелкой примесью фосфора и компенсированных радиационными дефектами. В ходе данной работы были получены образцы кремния, облучённые протонами, измерены их магнитные свойства благодаря СКВИД магнетометру. Полученные температурные зависимости намагниченности были проанализированы По итогам работы были определены источники намагничивания с различными температурами Кюри, а так же выявлено, на каких исследуемых температурных диапазонах они наблюдаются.

This work is devoted to the study of the ferromagnetism of Si:P samples doped with a fine impurity of phosphorus and compensated by radiation defects.   In the course of this work, samples of silicon irradiated with protons were obtained, and their magnetic properties were measured using a SQUID magnetometer. The resulting temperature dependences of the magnetization were analyzed. Based on the results of the work, sources of magnetization with different Curie temperatures were identified, and it was also revealed at what temperature ranges under study they are observed.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 9 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика