Details
| Title | Анализ химического состояния поверхности после атомно-слоевого формирования оксидов железа на оксиде кремния: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии наноматериалов и изделий микросистемной техники» |
|---|---|
| Creators | Баишев Булат Марсович |
| Scientific adviser | Шахмин Александр Львович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2023 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | рентгеновский фотоэлектронный спектроскопический анализ ; химическое состояние ; оксиды железа ; структура ; взаимодействие ; морфология ; осаждение тонких пленок ; химия поверхности ; x-ray photoelectron spectroscopic analysis ; chemical state ; iron oxides ; structure ; interaction ; morphology ; thin films deposition ; surface chemistry news |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 28.03.01 |
| Speciality group (FGOS) | 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-4323 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | ru\spstu\vkr\22112 |
| Record create date | 7/18/2023 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В данной работе проведено получение слоев оксида железа на подложке из оксида кремния путем атомно-слоевого осаждения (АСО). Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС) определено химическое состояние атомов в образце. Проведен анализ изменения химического состояния по толщине слоев и оценена толщина слоев. Проведено сравнение характеристик образцов – после осаждения и обожженных.
In this work, iron oxide layers were obtained on a silicon oxide substrate by atomic layer deposition (ALD). The chemical state of each atom in the sample was determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The analysis of changes in the chemical state with respect to the thickness of the layers and the increase in thickness was carried out. The characteristics of heated and unheated samples are compared.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 8
Last 30 days: 0
