Details

Title Анализ химического состояния элементов структуры TiO2/SiO2, полученных методом АСО, по рентгеновским фотоэлектронным спектрам: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии наноматериалов и изделий микросистемной техники»
Creators Горшков Егор Владимирович
Scientific adviser Шахмин Александр Львович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint Санкт-Петербург, 2023
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects оксид титана ; оксид кремния ; взаимодействие ; структура ; осаждение тонких плёнок ; атомно-слоевое осаждение ; формирование атомного слоя ; поверхность ; химия поверхности ; рфс ; titanium oxide ; silicon oxide ; interaction ; structure ; thin film deposition ; atomic layer deposition ; atomic layer formation ; surface ; surface chemistry ; xps
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 28.03.01
Speciality group (FGOS) 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
DOI 10.18720/SPBPU/3/2023/vr/vr23-4341
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key ru\spstu\vkr\22128
Record create date 7/18/2023

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В данной работе проанализировано химическое состояние атомов в слоях титана, осаждённых с помощью АСО при разном количестве титана на поверхности с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроско-пии путём анализа линий снятых спектров с поверхности образца. Для определения толщины слоёв на поверхности кремниевой подложки были сняты угловые зависимости атомной концентрации. Также образцы были прогреты до нескольких температур и повторно изучены.

In this paper, the chemical state of atoms in titanium layers deposited with ASO at different amounts of titanium on the surface is analyzed using X-ray photoelectron spectroscopy by analyzing the lines of the spectra taken from the sample surface. To determine the thickness of the layers on the sur-face of the silicon substrate, the angular dependences of the atomic concentra-tion were removed. The samples were also warmed up to several temperatures and re-examined.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read
Internet Authorized users SPbPU
Read
Internet Anonymous
  • СОДЕРЖАНИЕ
  • ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
  • ВВЕДЕНИЕ
    • ГЛАВА 1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
      • 1.1 Основы метода РФС.
      • 1.2 Методика работы в программе Casa XPS
      • 1.3 Применение и получение плёнок диоксида титана.
      • 1.4 Атомно-слоевое осаждение.
      • 1.5 Обработка плёнок диоксида титана.
      • 1.6 Постановка задач исследования
    • ГЛАВА 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
      • 2.1 Установка атомно-слоевого осаждения
      • 2.2 Методика атомно-слоевого осаждения оксида титана
      • 2.3 Методика отжига подложек с оксидом титана
      • 2.4 Установка для РФС
      • 2.5 Методика получения РФС спектров
    • ГЛАВА 3 РЕЗУЛЬТАТЫ
      • 3.1 Идентификация линий и сравнительный анализ образцов
      • 3.2 Анализ толщины оксида титана
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Access count: 9 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics