Исследована терагерцовая фотолюминесценция кремния, легированного бором, в условиях межзонного фотовозбуждения при низких температурах. В спектрах терагерцового излучения обнаружены линии излучательных переходов между уровнями свободных экситонов и переходов между уровнями мелких примесных центров, интенсивность которых имеет разные зависимости от температуры и интенсивности возбуждения. Обнаружено, что при температуре вблизи температуры жидкого гелия (T ∼ 5 K) спектр терагерцового излучения демонстрирует широкую полосу (ширина полосы порядка 18–20 мэВ) с максимумом при энергии порядка 20–22 мэВ, обусловленную, по-видимому, излучательными переходами неравновесных носителей заряда из состояний континуума в состояние электронно-дырочной жидкости.

Terahertz photoluminescence of boron- doped silicon at low temperatures under interband photoexcitation is investigated. The lines of radiative transitions between free-exciton levels and between the levels of shallow impurity centers are observed. The intensities of these lines exhibit different dependences on temperature and excitation intensity. At temperatures near the temperature of liquid helium (T ~ 5 K), the terahertz radiation spectrum features a broad band (about 18–20 meV wide) with a peak at an energy of about 20–22 meV. This band is apparently associated with radiative transitions of nonequilibrium charge carriers from the states of the continuum to the state of an electron–hole liquid.