Данная работа посвящена выявлению и исследованию структурных дефектов в ультраширокозонном полупроводниковом кристалле β-Ga2O3, а также анализу его газочуствительности при различных температурах в атмосфере водорода. В ходе данной работы поставлены следующие задачи: оптимизация режимов селективного травления для подложек (2̅01) β-Ga2O3 с целью определения геометрических параметров и средней плотности ямок травления; анализ дефектной структуры объемных кристаллов оксида галлия с помощью рентгеноструктурной исследования (режимы θ-2θ-сканирования и ω-сканирования); снижение плотности дефектов структуры путем применения отжига по оптимизированным режимам; анализ вольт-амперных характеристик β-Ga2O3 в атмосфере водорода при температурах 30-200 °C.

The present paper is dedicated to the identification and study of structural defects in the ultra-wide bandgap semiconductor crystal β-Ga2O3, as well as the analysis its gas sensitivity to hydrogen at different temperatures. The author outlines the following tasks: optimization of selective wet etching modes for (2̅01) β-Ga2O3 substrates, determining geometric parameters and average density of etch pits; analyzing the defect structure of bulk gallium oxide crystals using X-ray diffraction techniques such as θ-2θ-scanning and ω-scanning; reducing the density of structure defects by annealing at optimized modes; analysis of the CVC of β-Ga2O3 substrates in a hydrogen atmosphere at 30-200 °C temperatures range.