Работа посвящена исследованию гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками InAs, выращенными на полуизолирующих подложках GaAs (311)B. Перед студентом ставятся задачи: 1. Изучение литературы по тематике проводимого эксперимента; 2. Постановка и проведение эксперимента в рамках изучения оптических свойств гетероэпитаксиальной структуры с квантовыми точками InAs, выращенной на полуизолирующей подложке GaAs (311)B; 3. Обработка и объяснение полученных экспериментальных результатов. Снятие спектров проводилось при помощи высокостабильного He-Ne лазера с длиной волны 632,817 нм. Полученные спектры обрабатывались при помощи специализированного программно-математического обеспечения OriginPro 2023b. Эксперимент проводился при температурах: жидкого гелия (Т = 5,2 К) и азота (Т = 77 К). Были получены спектры излучения при разных мощностях лазерного излучения. Мощность варьировалась от 0,5 мВт до 13 мВт. Для мощности возбуждения Р = 1,25 мВт и температуры Т = 77 К FWHM спектра составила 44,29 ± 2,97 мэВ. Результат существенно меньше типичных результатов, достигнутых ранее при сопоставимых экспериментальных условиях, что делает исследуемый материал перспективным для применения в современных оптоэлетронных устройствах [14],[19],[27].

This work is devoted to the study of heteroepitaxial structures with InAs quantum dots grown on semi-isolating GaAs (311)B substrates. The student has the following tasks: 1. study the literature on the topic of the experiment; 2. To set up and conduct an experiment to study the optical properties of InAs heteroepitaxial structure with quantum dots grown on GaAs (311)B semi-isolating substrate; 3. Processing and explanation of the experimental results. The spectra were taken using a highly stable He-Ne laser with a wavelength of 632.817 nm. The obtained spectra were processed using specialized software and mathematical software OriginPro 2023b. The experiment was conducted at the temperatures: liquid helium (T = 5.2 K) and nitrogen (T = 77 K). Emission spectra were obtained at different laser irradiation powers. The power varied from 0.5 mW to 13 mW. For the excitation power P = 1.25 mW and temperature T = 77 K, the FWHM of the spectrum was 44.29 ± 2.97 meV. The obtained result is significantly less than typical results achieved earlier under comparable experimental conditions, which makes the investigated material promising for application in modern optoelectronic devices[14],[19],[27].