Детальная информация

Объект исследования: эпитаксиальные пленки оксида галлия на сапфировой подложке. Цель работы: получение информации о поверхностных явлениях при облучении α-Ga2O3 ускоренными ионами. Работа посвящена исследованию поверхностных явлений при облучении α-Ga2O3 ускоренными ионами P, PF4 и Ta с дозами 30 и 45 DPA. Оценка изменения температуры при облучении поверхности образцов была выполнена в программном комплексе Comsol Multiphysics. При помощи RUMP проведено моделирование спектров обратного рассеяния от оксида галлия для случайного направления. Распределение внедряемых ионов Та и оценена их концентрация выполнены в TRIM. Установлено, что нагрев поверхности ионным пучком не превышает 4.5 К. При бомбардировке кристаллическая структура разрушается и образуется разупорядоченный слой. Вплоть до доз 30 DPA толщина слоя не изменяется, несмотря на ощутимые изменения структуры поверхности. От 30 до 45 DPA наблюдается свеллинг облучаемой области и образуется ступенька высотой ~5нм.

The subject of the graduate qualification work is epitaxial films of gallium oxide on a sapphire substrate irradiated with accelerated atomic and molecular ions. The given work is devoted to study of surface phenomena during ion irradiation of α-Ga2O3. The work is devoted to the study of surface phenomena during irradiation of α-Ga2O3 with accelerated P, PF4 and Ta ions with doses of 30 and 45 DPA. The temperature change during the irradiation of the sample surface was estimated using the Comsol Multiphysics software package. With the help of RUMP, backscattering spectra from gallium oxide were simulated for a random direction. The distribution of introduced Ta ions and their concentration were estimated using TRIM. It has been found that surface heating by an ion beam does not exceed 4.5 K. During bombardment, the crystal structure is destroyed and a isordered layer is formed. Up to doses of 30 DPA, the layer thickness does not change, despite noticeable changes in the surface structure. From 30 to 45 DPA, swelling of the irradiated region is observed and a step ~5 nm high is formed.