Детальная информация

Объект исследования  –  дихалькогениды переходных металлов на пьезоэлектрических подложках. Цель работы  –  обнаружение локального легирования  монослойного дихалькогенида переходного металла WSe2 с использованием поверхностных потенциальных ям пьезоэлектрических подложек. В процессе исследования на подложки с поверхностными потенциальными ямами: GaN и InP/GaInP2, а также на тестовые подложки GaInP22 и SiO2/Si были нанесены методом механического отщепления монослойные флейки WSe2. Далее полученные образцы исследовались методами спектроскопии фотолюминесценции, комбинационного рассеяния света, а также атомно- и электросиловой микроскопии. Полученные экспериментальные результаты были обработаны с использованием прикладных программных средства: Origin, Image Analysis, Gwyddion. Было обнаружено локальное  легирование  на уровне n≈10^12см-2 и  в масштабе длины 0,2–1,5 мкм в местах расположения поверхностных потенциальных  ям  структур WSe2/GaN и WSe2/InP/GaInP2.  Полученные результаты могут быть использовано для создания  структур  с квантовыми лужами  и создания  помехоустойчивых квантовых  затворов  работающих  при комнатных температурах.

The subject of the graduate qualification work is transition metal dichalcogenides on piezoelectric substrates. The aim of the work is to detect local doping of two–dimensional transition metal dichalcogenide WSe2 using surface potential wells of piezoelectric substrates. During the study, two-dimensional WSe2 flakes were applied by mechanical exfoliate to substrates with surface potential wells: GaN and InP/GaInP2, as well as to test substrates GaInP2 and SiO2/Si. Further, the obtained samples were studied by photoluminescence spectroscopy,  Raman scattering of light, as well as atomic and Kelvin force microscopy. The experimental results obtained were processed using applied software tools: Origin, Image Analysis, Gwyddion.Local doping was detected at the level of n≈10^12cm-2 and at a length scale of 0.2–1.5 microns at the locations of surface potential wells of the WSe2/GaN and WSe2/InP/GaInP2 structures.  The results obtained can be used to create Wigner localization states and stable quantum calculations at room temperatures.