Детальная информация

Работа посвящена задаче по описанию легированных полупроводников с ненулевой степенью компенсации методом плотности состояний. Для этого создана модель кулоновского стекла со случайно распределенными примесями, донорами и акцепторами, и методом прямого сэмплирования распределены по примесям заряды. Повторив метод прямого сэмплирования большое число раз получаем распределение состояний системы от дипольного момента и энергии системы. Оказалось, что данное распределение для разных дипольных моментов является Гауссовым. Это позволило описать его аналитически. Число состояний для разных значений дипольного момента, удалось описать аналитически, используя Гамма распределение. Показано, что воспользовавшись аналитическим описанием можно рассчитать вероятность обнаружения системы в соответствующем состоянии, а добавив к этому вывод статистической суммы – рассчитать многие термодинамические свойства системы.

The work is devoted to the problem of describing doped semiconductors with a non-zero degree of stability using the hardness method. For this model, a model of coulomb glass with randomly distributed impurities, donors and acceptors, as well as a method of direct sampling of charges distributed over the impurities, was created. By repeating the method of direct sampling of a large number of times, it is possible to determine the state of the system from the dipole moment and the energy system. It turned out that this distribution for different dipole moments is Gaussian. This made it possible to describe it analytically. The number of states for different values  of the dipole moment could be described analytically using the Gamma distribution. It is shown that using an analytical description, one can calculate the probability of detecting a system in the appropriate state, and adding to this the conclusion of a partition function, one can calculate many thermodynamic properties of the system.