Детальная информация

Данная работа посвящена применению метода Хольцмарка для расчета неоднородного уширения линий электронного парамагнитного резонанса случайными упругими деформациями в кристалле. В ходе работы были определены упругие поля, возникающие от различных дефектов в кристаллах. Получена зависимость поглощенного излучения от частоты с учетом случайных деформаций.  А так же проведена оценка концентрации дефектов в кристалле, и сравнение ее величины с известными данными. Деформационные поля между изменяют энергию между mF=0 и mF=|1| (проекциями полного момента). Первым делом был вычислен вклад в энергию деформационных полей от разных точек кристалла. Метод Хольцмарка это метод, используемый для расчета действия случайных сил относительно выбранного центра в системе, состоящей из большого числа невзаимодействующих частиц. Выражение для изменения энергии перехода было представлено в виде суммы изменений от множества источников деформации. Затем был построен интеграл, описывающий зависимость поглощенного излучения от частоты. Так как деформации случайны, то распределение равномерное. Поэтому было выполнено усреднение по всем источникам и переход к предельному распределению. Для полученной зависимости оценка концентрации дефектов n равное 2*10^17см-1. Такое значение концентрации согласуется с известными значениями от 10^17 до 10^19 см^-1. Это означает, что данный механизм неоднородного уширения линий ЭПР возможен в экспериментах.

The given work is devoted to This work is devoted to the application of the Holzmark method for calculating the inhomogeneous broadening of electron paramagnetic resonance lines by random elastic deformations in a crystal. In the course of the work, elastic fields arising from various defects in crystals were determined. The dependence of the absorbed radiation on the frequency is obtained, taking into account random deformations. An assessment of the defect concentration in the crystal was also carried out, and its value was compared with known data. The Holzmark method is a method used to calculate the action of random forces relative to a selected center in a system consisting of a large number of non-interacting particles. The expression for the change in the transition energy was presented as the sum of the changes from multiple sources of deformation. Then an integral was constructed describing the dependence of the absorbed radiation on the frequency. Since deformations are random, the distribution is uniform. Therefore, averaging over all sources was performed and the transition to the marginal distribution was carried out. For the obtained dependence, the estimate of the defect concentration n is equal to 2*1017cm-1. This concentration value is consistent with known values from 10^17 to 10^19 cm^-1. This means that this mechanism of inhomogeneous broadening of EPR lines is possible in experiments.

• Содержание
• Введение
• Глава 1. Обзор свойств арсенида Галлия, содержащего марганец
• 1.1 Модель
• Глава 2. Электронный парамагнитный резонанс
• Глава 3. Расчет уширения резонансных линий
• Заключение
• Список Литературы