Данная работа посвящена разработке и исследованию фотоприемного устройства для спектрального диапазона 0.7–1,7 мкм с пиками чувствительности в диапазонах 900-1000нм и 1300-1600нм на основе InGaAs и Si PIN-фотодиодов. Представлена зависимость квантовой эффективности полученного приемника от длинны волны. Приводятся результаты исследований характеристик фотодиодов и разработанного фотоприемника.

This work is devoted to the development and research of a photodetector device for the spectral range of 0.7–1.7 μm with sensitivity peaks in the ranges of 900–1000 nm and 1300–1600 nm based on InGaAs and Si PIN photodiodes. The dependence of the quantum efficiency of the resulting receiver on the wavelength is presented. The results of studies of the characteristics of photodiodes and the developed photodetector are presented.