Детальная информация

В рамках настоящей работы было проведено исследование микрофотолюминесценции квантовых точек InAs/GaInP и микрорезонаторов на их основе. При определенных условиях роста InAs на GaInP формируется массив квантовых точек малой плотности, излучающих в диапазоне 900-980 нм.  При этом время жизни люминесценции составляет 1.2 нс. Из исходной структуры сформированы микродисковые резонаторы с добротностью 4000 – 6000, оптическая накачка которых приводит к лазерной генерации на модах шепчущей галереи. Определены значения пороговой мощности, которые составляют 20 мкВт для генерации через основное состояние и 80 мкВт для генерации через возбужденное при 77 К. Оптическая накачка проведена как в непрерывном, так и в импульсном режимах. Использование импульсного режима позволило определить пороговые мощности также при повышенных температурах. Продемонстрирована возможность температурной подстройки одиночной наноструктуры и резонансной моды. Общим выводом проведенной работы является заключение о перспективности использования исследуемой наноструктуры в качестве активной среды микролазера. Полученные результаты будут интересны организациям, занимающимся исследованием и разработкой элементов фотоники.

In the framework of the present work the study of microphotoluminescence of InAs/GaInP quantum dots and microcavity based on them was carried out. Under certain conditions of InAs growth on GaInP, an array of low-density quantum dots emitting in the range of 900-980 nm is formed.  At the same time, the luminescence lifetime is 1.2 ns. Microdisk cavities with a qualities of 4000 - 6000 are formed from the initial structure, optical pumping of which leads to laser generation on the whispering gallery modes. The threshold power values are determined, which are 20 μW for generation through the ground state and 80 μW for generation through the excited state at 77 K. Optical pumping was carried out in both continuous and pulsed modes. The use of the pulsed mode allowed us to determine the threshold powers also at increased temperatures. The possibility of temperature tuning of single nanostructure and resonant mode was demonstrated. The general conclusion of the conducted work is following: the investigated nanostructure is perspective for use as an active region of microlasers. The obtained results will be of interest to organizations engaged in research and development of photonics elements.