Детальная информация

Данная работа посвящена рассмотрению структуры тонкопленочного электролюминесцентного (ТПЭЛ) дисплея, а также изучению его основных электрооптических характеристик. ТПЭЛ дисплей представляет собой плоский конденсатор, полученный путем последовательного нанесения слоев электродов, диэлектриков и люминофора. Люминофор излучает свет при воздействии на него электрического поля, созданного при подаче переменного напряжения на электроды. Для получения слоев диэлектриков и люминофора используется метод молекулярного наслаивания. Метод магнетронного распыления используется для получения слоев электродов. Важной целью разработки электролюминесцентной структуры является расчет толщин слоев люминофора и диэлектриков, полученных на установках атомно-слоевого осаждения и магнетронного распыления. Расчет производился на основании электростатической модели. После достижения необходимых толщин слоев ТПЭЛ дисплея производились измерения основных электрооптических характеристик. Результаты построенных зависимостей совпали с теоретическими данными.

The given work is devoted to the consideration of the structure of a thin-film electroluminescent (TFEL) display, as well as the study of its main electro-optical characteristics. A TFEL display is roughly similar to a flat capacitor obtained by sequentially depositing layers of electrodes, dielectrics and phosphor. The phosphor emits light when exposed to an electric field created by applying alternating voltage to the electrodes. To obtain layers of dielectrics and phosphors, the atomic layer deposition is used. The magnetron sputtering method is used to produce electrode layers. An important goal of developing an electroluminescent structure is to calculate the thicknesses of phosphor and dielectric layers. The calculation was made based on an electrostatic model. After achieving the required thicknesses of the TFEL display layers, measurements of the main electro-optical characteristics were carried out. The results of the constructed dependencies coincided with the theoretical data.