Детальная информация

Экспериментально исследованы спектры пропускания эпитаксиальных пленок нитрида галлия с различной концентрацией и подвижностью свободных электронов на подложке из сапфира в дальнем и среднем инфракрасном диапазонах спектра. Определены спектральные зависимости показателя преломления и коэффициента экстинкции. С помощью метода матриц переноса смоделированы спектры пропускания свободных пленок GaN, а также эпитаксиальных пленок GaN на подложке из сапфира, с различной концентрацией свободных электронов. Используя метод Нелдера-Мида, путем подгонки теоретических спектров под экспериментальные, в результате работы получены параметры концентрации свободных электронов и их подвижности для трех образцов эпитаксиальных пленок нитрида галлия на подложках из сапфира. Проведено сравнение разработанного метода бесконтактной диагностики с другими методами.

The experimental transmission spectra of epitaxial gallium nitride films with different concentration and mobility of free electrons on a sapphire substrate in the far and mid-infrared spectral ranges have been experimentally studied. The spectral dependences of the refractive index and extinction coefficient have been determined. The transmission spectra of free-standing GaN film as well as GaN epitaxial films on sapphire substrate with different concentrations of free electrons have been modeled using the transfer matrix method. The free electron concentration and mobility for three GaN epitaxial films were determined by fitting the simulated spectra to experimental ones using the Nelder-Mead method. The developed method of contactless diagnostics is compared with other methods.