Детальная информация

Объект исследования – парамагнитные поверхностные центры на промышленно-изготовленных пластинах кремния. Цель работы – исследовать свойства поверхностных парамагнитных центров методом ЭПР с регистрацией сигналов спин-зависимой релаксации (СЗР) по изменению микроволновой проводимости. Составлен литературный обзор по исследуемой теме. Проведены эксперименты по нахождению оптимальных условий исследования используемым в работе методом. Полученные в ходе экспериментов сигналы идентифицированы как сигналы известных поверхностных центров, в соответствии с предыдущими работами в этой области. Проведены эксперименты по детектированию сигналов парамагнитных центров в слабых магнитных полях и сигналов без магнитного резонанса, результаты находятся в соответствии с теоретическими предсказаниями. Ранее поверхностные центры на пластинах кремния ориентации (110) и (111) не исследовались с помощью бесконтактного метода регистрации ЭПР-СЗР по изменению СВЧ-фотопроводимости. Для автоматического сбора информации применена программа PicoScope, для обработки данных и визуализации результатов - программный пакет Origin. Полученные результаты по нахождению оптимальных условий эксперимента могут быть использованы для продолжения исследований в данной области.

Object of the study – paramagnetic surface centers on industrially manufactured silicon. Purpose of the study – examine properties of surface paramagnetic centers by means of ESR with registration of spin-dependent recombination (SDR) signals utilizing change in microwave conductivity. Literature review of the studied theme was compiled. Experiments aimed at finding optimal conditions of signal registration with method, used in this work, were conducted. Recorded signals were identified as signals of known surface paramagnetic centers in silicon, in agreement with previous works in the field. Experiments in low magnetic fields and experiments on registering signals without magnetic resonance were carried out, results are in compliance with theoretical predictions. Previously surface centers on silicon wafers with surface orientation (110) and (111) were not studied by means of contact-free method of registering ESR-SDR signals utilizing microwave conductivity change. For automation of data gathering program PicoScope was used, for data processing and results visualization Origin software package was utilized. This works results on optimal conditions specification may be used for further studies in this field.