Детальная информация

Исключительные свойства металлов третьей группы (III–N) делают их наиболее желанными и перспективными в области приборостроения и оптоэлектроники на их основе. Их структуры отличаются выдающимися характеристиками: высокие значения пробивных полей, термическая и радиационная устойчивость, что позволяет создавать и использовать на основе III-N приборы во многих областях техники, включая и военную. Применены программные средства Microsoft Excel для обработки экспериментальных данных. Результаты обработки экспериментальных данных представлены с использованием мультимедийных средств Origin. Целью работы являлось описание свойств и получение гетероструктур GaN/AlN с барьерным слоем малой толщины. По ходу работы были выполнены следующие задачи: 1. Оптимизация условий роста высокотемпературного буферного слоя AlN. 2. Получение гетероструктур GaN/AlN c разной толщиной барьерного слоя AlN. были получены структуры с подвижностью электронов в 980 см²/В∙с и концентрацией 1.5 × 10¹³ см⁻² при этом толщина барьерного слоя была снижена до 4 нм. 3. Контроль в процессе роста гетероструктур методами дифракции быстрых электронов на начальных этапах роста и лазерной интерферометрии.

The exceptional properties of metals of the third group (III–N) make them the most desirable and promising in the field of instrument making and optoelectronics based on them. Their structures are distinguished by outstanding characteristics and properties: high values of breakdown fields, thermal and radiation resistance, which makes it possible to create and use devices based on III-N in many fields of technology, including military. Microsoft Excel software was used to process experimental data. The results of experimental data processing are presented using Origin 2019b multimedia tools. The purpose of the work was to describe the properties and obtain GaN/AlN heterostructures with a barrier layer of small thickness. During the work, the following tasks were completed: 1. Optimization of growth conditions for a high-temperature AlN buffer layer. 2. Preparation of GaN/AlN heterostructures with different thicknesses of the AlN barrier layer. structures with an electron mobility of 980 cm²/V∙s and a concentration of 1.5 × 10¹³ cm⁻² were obtained, while the thickness of the barrier layer was reduced to 4 nm. 3. Monitoring during the growth of heterostructures using high-energy electron diffraction methods at the initial stages of growth and laser interferometry.