Детальная информация

В данной работе разработан протокол модификации нитевидных нанокристаллов фосфида галлия углеродными квантовыми точками (КТ) для создания фоточувствительных наноструктур на их основе. Исследованы флуоресцентные свойства углеродных КТ в водном растворе и на поверхности нитевидных нанокристаллов (ННК) фосфида галлия (GaP). Исследованы фоторезистивные свойства наноструктур на основе немодифицированных и модифицированных углеродными квантовыми точками ННК фосфида галлия в цепи постоянного и переменного токов, проведен сравнительный анализ полученных результатов. Цель работы – создание фоточувствительных наноструктур на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных квантовых точек. Задачи, которые решались в ходе выполнения работы: 1. Исследовать флуоресцентные свойства углеродных КТ в водном растворе; 2. Исследовать морфологию вертикальных массивов ННК GaP до и после модификации их поверхности углеродными КТ; 3. Исследовать флуоресцентные свойства наноструктур на основе ННК GaP и углеродных КТ; 4. Исследовать фоторезистивные свойства фоточувствительных наноструктур на основе ННК GaP и углеродных КТ в цепи постоянного и переменного тока.

This paper presents an approach to the modification of the GaP nanowires with quantum dots. The photoluminescent properties of quantum dots in an aqueous solution and on the surface of GaP nanowires were studied. Photosensitive properties of the modified as well as unmodified nanostructures in DC and AC circuits have been investigated, and a comparative analysis of the obtained results has been carried out. This work is aimed at developing of photosensitive nanostructures based on gallium phosphide nanowires and carbon quantum dots. Tasks that were addressed during the presented study: 1. Study the fluorescence properties of carbon quantum dots in aqueous solution; 2. Investigate the morphology of vertical arrays of GaP nanowires before and after their surface modification with carbon quantum dots; 3. Investigate the fluorescence properties of nanostructures based on GaP nanowires and carbon quantum dots; 4. Investigate the photoresistive properties of photosensitive nanostructures based on GaP nanowires and carbon quantum dots in DC and AC circuits.