Детальная информация

Данная работа посвящена исследованию различий в дефектных структурах слоёв фосфида галлия, в том числе с примесями мышьяка и азота, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при различных режимах роста. Структурные исследования проводились с помощью методов просвечивающей электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа, также использовались данные рентгеновской дифрактометрии и фотолюминесценции. Установлено, что увеличение потока азота существенно повышает встраивание мышьяка в слоях GaAsPN. При этом в образцах различного состава наблюдается одинаковая величина тетрагональных искажений решётки.  Обнаружено, что в слое GaAsPN имеется тенденция к исчезновению дефектов упаковки за счёт слияния ограничивающих их частичных дислокаций в полные дислокации. При этом в слое фосфида галлия без примесей наблюдается повторная диссоциация таких дислокаций. Обнаруженные особенности различных структур представляют интерес с точки зрения отработки технологических режимов роста четверных твёрдых растворов такого вида.

The given work is devoted to the study of differences in the defective structures of gallium phosphide layers, including those with arsenic and nitrogen additives, grown by molecular beam epitaxy under various growth modes. Structural studies were carried out using transmission electron microscopy and X-ray spectral microanalysis methods, as well as X-ray diffractometry and photoluminescence data. It was found that an increase in the nitrogen flow significantly increases the incorporation of arsenic in the GaAsPN layers. At the same time, the same magnitude of tetragonal lattice distortions is observed in samples of different compositions. It has been found that there is a tendency for stacking faults to disappear in the GaAsPN layer due to the fusion of their bounding partial dislocations into perfect dislocations. In this case, repeated dissociation of such dislocations is observed in the gallium phosphide layer without additives. The discovered features of various structures are of interest for testing the technological modes of growth of quadruple solid solutions of this type.