Детальная информация

Данная работа посвящена исследованию формирования омических контактов на кремнии. На основании аналитического обзора литературы в качестве металлизации омического контакта была выбрана композиция никель-серебро. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Исследование механизма формирования омических контактов. 2. Выбор наиболее подходящей композиции. 3. Определение технологических параметров и исследование их влияния на итоговые характеристики контакта. 4. Подбор оптимальных параметров формирования омического контакта и анализ полученных результатов. Работа выполнена на базе предприятия АО «Светлана - Электронприбор». В результате проведенных исследований, отработана технология формирования никель-серебряного омического контакта к эпитаксиальным структурам кремния. Разработан технологический маршрут изготовления силовых диодов на эпитаксиальных структурах кремния с применением никель-серебряного омического контакта. Изготовлена партия кристаллов диодов и проанализированы их отдельные характеристики, в частности прямая ветвь вольт-амперной характеристики.

This work is devoted to the study of the formation of ohmic contacts on silicon. Based on an analytical review of the literature, a nickel-silver composition was chosen as the metallization of the ohmic contact. Tasks that were solved during the study: 1. Study of the mechanism of formation of ohmic contacts. 2. Selection of the most suitable composition. 3. Determination of process parameters and study of their influence on the final characteristics of the contact. 4. Selection of optimal parameters for the formation of ohmic contact and analysis of the obtained results. The work was carried out on the basis of the enterprise JSC "Svetlana - Electronic Equipment". As a result, the technology of formation of a nickel-silver ohmic contact on silicon was obtained and tested. Based on the conducted research, a technological route for the manufacture of power diodes was developed. A batch of diode crystals was manufact ured using this route and their individual characteristics were analyzed, in particular the forward branch of the volt-ampere characteristic.