Детальная информация

Работа посвящена исследованию влияния параметров формирования диэлектрического слоя на электрические характеристики танталовых конденсаторов. Основное внимание уделено изучению процессов анодного окисления тантала в растворах ортофосфорной кислоты с различными концентрациями при разной температуре. В ходе исследования установлены закономерности роста оксидного слоя Ta₂O₅, определена зависимость диэлектрических свойств от технологических параметров, разработаны оптимальные режимы формирования диэлектрика. Результат работы позволит оптимизировать технологический процесс за счёт улучшения удельной емкости конденсаторов и снижения процента брака по току утечки. Разработанные технологические решения могут быть применены при производстве танталовых конденсаторов.

The work is devoted to the study of the influence of the parameters of dielectric layer formation on the electrical characteristics of tantalum capacitors. The main attention is paid to the study of the processes of anodic oxidation of tantalum in solutions of orthophosphoric acid with different concentrations at different temperatures. In the course of the study, the patterns of growth of the Ta₂O₅ oxide layer were established, the dependence of dielectric properties on technological parameters was determined, and optimal modes of dielectric formation were developed. The result of the work will optimize the technological process by improving the specific capacitance of capacitors and reducing the percentage of defective leakage current. The developed technological solutions can be applied in the production of tantalum capacitors.

• РЕФЕРАТ
• Содержание
• ВВЕДЕНИЕ
• ГЛАВА 1 ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
  • 1.1 Основы теории конденсаторов
  • 1.2 Танталовые конденсаторы
  • 1.3 Структура и свойства пентаоксида тантала
  • 1.4 Стадии процесса оксидирования
  • 1.5 Влияние параметров формовки на свойства диэлектрического слоя
• ГЛАВА 2 ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКАЯ ЧАСТЬ
  • 2.1 Оборудование и материалы
  • 2.2 Методика работы
  • 2.3 Результаты и их обсуждение
  • 2.4 Выбор оптимального режима
• ЗАКЛЮЧЕНИЕ
• СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ