Детальная информация

Данная работа была посвящена исследованию оптических характеристик свето- и фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP в диапазоне длин волн 3–4 мкм, определению ширины запрещённой зоны и проведению анализа температурных зависимостей спектральных характеристик, полученных при измерении электролюминесценции, фотолюминесценции и фоточувствительности. Измерения проводились в широком температурном диапазоне от 77 до 500 К. Полученные значения сравнивались с ожидаемыми значениями для данных материалов. В ходе работы были достигнуты следующие результаты: обработаны и интерпретированы экспериментальные данные, полученные при измерении фотоэлектрических и люминесцентных характеристик гетероструктур InAs/InAsSbP; получены температурные зависимости Eg, которые хорошо соответствуют ожидаемым результатам и подтверждают работоспособность структур в широком температурном диапазоне. Полученные результаты данной работы не только дополняют представления о свойствах гетероструктур InAs/InAsSbP, но и могут быть использованы в качестве базы для дальнейшей оптимизации параметров свето- и фотодиодов.

This work was devoted to studying the optical characteristics of light and photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures in the wavelength range of 3-4 microns, determining the band gap and analyzing the temperature dependences of spectral characteristics obtained by measuring electroluminescence, photoluminescence and photosensitivity. The measurements were carried out in a wide temperature range from 77 to 500 K. The values obtained were compared with the expected values for these materials. In the course of the work, the following results were achieved: experimental data obtained by measuring the photovoltaic and luminescent characteristics of InAs/InAsSbP heterostructures were processed and interpreted; temperature dependences of Eg were obtained, which correspond well to the expected results and confirm the operability of structures over a wide temperature range. The results of this work not only complement the understanding of the properties of InAs/InAsSbP heterostructures, but can also be used as a basis for further optimization of the parameters of light and photodiodes.

• ВВЕДЕНИЕ
• ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
  • 1.1 Светодиоды
  • 1.2 Фотодиоды
  • 1.3 Ширина запрещенной зоны для HgCdTe
  • 1.4 Определение ширины запрещенной зоны по данным фотолюминесценции
  • 1.5 Измерение ширины запрещенной зоны по данным спектров фоточувствительности
• ГЛАВА 2. ЭКСПЕРЕМЕНТАЛЬНЫЕ ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЯ
  • 2.1 Светодиоды на основе InAs/InAsSbP
  • 2.2 Фотодиоды на основе InAs/InAsSbP
  • 2.3 Методика измерения спектральных характеристик
• ГЛАВА 3. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ
  • 3.1 Результаты измерений спектров фотолюминесценции
  • 3.2. Результаты измерений спектров электролюминесценции
  • 3.3. Результаты измерения спектров фоточувствительности
  • 3.4. Обработка результатов
• ЗАКЛЮЧЕНИЕ
• СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ