Детальная информация

Объект исследования – сапфиры, толщиной 1 мм, выращенные методом Мусатова, образцы арсенида галлия, толщиной 6мм, выращенные методом Чохральского и вырезанные из разных частей слитка. Цель работы – разработка и исследование установки для прецизионного измерения пропускания оптических материалов с целью анализа неоднородности их оптической плотности и оценки метрологических характеристик методов измерения. Проведен поиск информации в глобальных компьютерных сетях на предмет наличия научных работ по темам исследования точных методов измерения пропускания и исследований неоднородности оптической плотности материалов. В данной работе исследовались различные методы измерения пропускания и их характеристики с использованием идентичных образцов сапфира, а также проводилось сравнение точности измерений этих методов с измерениями, выполненными на двухканальном спектрофотометре Photon RT. Образцы GaAs, вырезанные из разных частей слитка, были измерены с использованием двухканального, одноканального методов и двухканального спектрофотометра, и были получены карты неоднородности оптической плотности по площади образцов, вырезанных из разных частей слитка. Проведен анализ зависимости неоднородности образцов от части слитка, из которой они были вырезаны.

The object of study – 1 mm-thick sapphires grown by the Musatov method, and 6 mm-thick gallium arsenide (GaAs) samples grown by the Czochralski method and cut from different parts of the ingot. The aim of the work – measurement of sapphire and GaAs transmittance using different methods, investigation of the optical density inhomogeneity of GaAs. A search for information in global computer networks was conducted to identify scientific works on precise methods of transmittance measurement and studies of optical density inhomogeneity in materials. This work investigated different transmittance measurement methods and their characteristics using multiple identical sapphire samples, comparing the measurement accuracy of these methods with measurements taken using the Photon RT spectrophotometer. GaAs samples cut from different parts of the ingot were measured using differential, single-channel methods and the dual-channel spectrophotometer, and optical density inhomogeneity maps of the samples were obtained. An analysis of the dependence of sample inhomogeneity on the part of the ingot from which it was cut was performed.