Детальная информация

В данной работе предложена методика оценки рабочих параметров для селективного осаждения тонких пленок в полупроводниковой технологии. Для селективного осаждения, согласно предложенной методике, основным механизмом латерального транспорта должна быть газофазная диффузия. С помощью численных расчетов была проведена апробация данной методики. Расчеты термодинамического равновесия химической системы, необходимые для определения селективности процесса осаждения, производились с помощью написанного на языке Python программного кода. На основе полученных значений потоков десорбции и осаждения определялся механизм латерального транспорта. Начальные рабочие параметры процесса осаждения были взяты из опубликованных экспериментальных данных. Таким образом, была представлена методика оценки селективности осаждения тонких пленок, согласно которой селективность достигается при газофазной диффузии адсорбированных атомов по поверхности. Предложенная методика прошла апробацию и может быть использована для оценки рабочих параметров селективного осаждения тонких пленок.

This paper proposes a methodology for estimating operating parameters for selective deposition of thin films in semiconductor technology. For selective deposition, according to the proposed methodology, the main mechanism of lateral transport should be gas-phase diffusion. Numerical calculations were used to validate this method. Calculations of the thermodynamic equilibrium of the chemical system, necessary for determining the selectivity of the deposition process, were performed using a written program code in the Python language. Based on the obtained values of desorption and deposition fluxes, the mechanism of lateral transport was determined. The initial operating parameters of the deposition process were taken from published experimental data. Thus, a technique was presented to evaluate the selectivity of thin film deposition, according to which the selectivity is achieved by gas-phase diffusion of adsorbed atoms across the surface. The proposed methodology has been tested and can be used to estimate the operating parameters of selective thin film deposition.