Детальная информация

Работа посвящена исследованию электропрочностных характеристик тонких пленок ПВС, в частности пробивной напряженности, энергии диссоциации и коэффициента электрических перенапряжений. Цель работы – оценка электрической прочности пленок ПВС микронных толщин и выяснение возможности их использования в качестве подзатворного диэлектрика в ОПТ. В результате исследования было установлено, что пленки ПВС характеризуются высокой пробивной напряженностью (650–900 МВ/м) с четко выраженной зависимостью от скорости подъема напряжения, что согласуется с двухстадийной кинетической теорией пробоя. На основе экспериментальных данных оценены: энергия диссоциации D=(0,89±0,04) эВ и коэффициент электрических перенапряжений q =(12±1). Полученные электропрочностные характеристики пленок ПВС дополнительно подтверждают обоснованность суждений о ПВС как о перспективном материале для подзатворных диэлектрических слоев в органических полевых транзисторах.

This paper examines micron-thick thin PVA films and evaluates their electrical strength characteristics, specifically breakdown voltage, dissociation energy, and electrical overvoltage coefficient. The objective of this paper is to evaluate the electrical strength of micron-thick PVA films and assess their potential use as gate dielectrics in OPTs. The study revealed that PVA films are characterized by high breakdown voltage (650–900 MV/m) with a clearly defined dependence on the rate of voltage rise, which is consistent with the two-stage kinetic theory of breakdown. Based on the experimental data, the following were estimated: dissociation energy 𝐷 = (0,89 ± 0,04) eV and electrical overvoltage coefficient 𝑞 = (12 ± 1). The obtained electrical strength characteristics of PVA films further confirm the validity of the conclusions regarding PVA as a promising material for gate dielectric layers in organic field-effect transistors.