Детальная информация

В данной работе выявлены и исследованы дефекты существующей технологии утонения, включающие эрозионное повреждение лицевой стороны матрицы, неравномерность толщины мембраны (перепады > 5 мкм), структурные повреждения кристалла лазерным излучением, образование химически стойкой паразитной пленки (SiC, SiB3, SiB6) на поверхности мембраны. Во избежание возникновения дефектов разработана альтернативная жидкостная технология утонения, основанная на четырехэтапном селективном травлении и изменении гидродинамики процесса. Также предложена формула, отражающая критерий образования пористого слоя на поверхности мембраны.

In this work, the defects of the existing thinning technology have been identified and studied, including erosive damage to the front side of the matrix, membrane thickness non‑uniformity (variations > 5 μm), structural damage to the crystal caused by laser radiation, and the formation of a chemically resistant parasitic film (SiC, SiB₃, SiB₆) on the membrane surface. To prevent the occurrence of defects, an alternative wet thinning technology based on four‑stage selective etching and a change in the process hydrodynamics has been developed. A formula reflecting the criterion for the formation of a porous layer on the membrane surface is also proposed.