Детальная информация

Название GaN PiN-фотодиоды ультрафиолетового диапазона: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_03 «Интегральная электроника и наноэлектроника» = GaN PIN photodiodes of the ultraviolet range
Авторы Карчуганова Ангелина Максимовна
Научный руководитель Долженко Дмитрий Игоревич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2026
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика gan pin-фотодиод ; ультрафиолетовый диапазон ; фоточувствительность ; фототок ; донорные и акцепторные примеси ; gan pin photodiode ; ultraviolet range ; photosensitiveness ; photocurrency ; doping concentration ; donor and acceptor impurities
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 11.03.04
Группа специальностей ФГОС 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/3/2026/vr/vr26-3255
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно Новинка
Ключ записи ru\spstu\vkr\41839
Дата создания записи 04.08.2026

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет возможно после подготовки администраторами необходимых файлов

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Работа посвящена исследованию GaN PIN-фотодиода и моделированию влияния просветляющих слоев, профилей легирования на спектральную характеристику. Цель работы – разработка модели GaN PIN-фотодиода с просветляющим покрытием для УФ диапазона. Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: 1. Произвести обзор литературных источников по теме работы и сформулировать цель и задачи исследования. 2. Построить компьютерную модель GaN pin-фотодиода с Гауссовым распределением примесей. 3. Рассчитать спектральную зависимость фоточувствительности и произвести параметрический анализ по ряду технологических параметров. 4. Осуществить моделирование просветляющих слоев и оценить их влияние на фоточувствительность и спектральный диапазон. Сравнить с аналогами и работами других авторов. В результате исследования были использованы методы компьютерного моделирования, аналитические приближения. В результате исследования были получены спектральные зависимости фоточувствительности при различных конфигурациях, в том числе с просветляющими слоями, что может иметь применение в оптоэлектронике, фотолитографии для контроля дозы экспонирования, совмещения масок. Использовалось ПО: COMSOL Multiphysics, Microsoft Excel и Word, Figma.

Object of study is GaN PIN photodiode. The aim is modeling of the output characteristics of GaN PIN photodiodes for the UV range. The following tasks were solved: 1. Review the literature on the topic and formulate the research goals and objectives. 2. Construct a computer model of a GaN pin photodiode with a Gaussian impurity distribution. 3. Calculate the spectral dependence of photosensitivity and perform a parametric analysis using a number of process parameters. 4. Model antireflection layers and evaluate their impact on photosensitivity and spectral range. Compare with similar materials and the work of other authors. As a result of the study сomputer modeling methods and analytical approximations were used. As a result of the study, spectral dependences of photosensitivity were obtained for various configurations, including those with antireflection layers, which can have applications in optoelectronics, photolithography for controlling the exposure dose, and combining masks. The following software was used: COMSOL Multiphysics, Microsoft Excel and Word, Figma.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Интернет Анонимные пользователи
...