Детальная информация
| Название | Схемы установки рабочей точки GaN транзисторов: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_03 «Интегральная электроника и наноэлектроника» = Bias Circuits for GaN Transistors |
|---|---|
| Авторы | Латыпова Камилла Мансуровна |
| Научный руководитель | Румянцев Иван Александрович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2026 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | GaN hemt ; bgmc1210 ; контроллер смещения ; последовательность включения ; температурная компенсация ; bias controller ; power-up sequence ; temperature compensation |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2026/vr/vr26-3260 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\41844 |
| Дата создания записи | 04.08.2026 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Тема выпускной квалификационной работы: «Схемы установки рабочей точки GaN транзисторов». Работа посвящена исследованию схемы установки рабочей точки GaN транзисторов и разработке печатной платы на основе микросхемы BGMC1210. Цель работы – разработка принципиальной схемы и топологии отладочного модуля на базе специализированной схемы BGMC1210. Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: 1. Обзор литературы по теме работы; 2. Изучение особенностей работы микросхемы BGMC1210; 3. Разработка принципиальной схемы для установки рабочей точки GaN транзисторов; 4. Разработка топологии печатной платы схемы для установки рабочей точки GaN транзисторов. В результате выполнения работы изучены физические механизмы, определяющие требования к схемам смещения GaN HEMT. Проведен анализ существующих дискретных и специализированных решений. Разработана принципиальная схема и топология отладочной платы, где в качестве базового элемента выла выбрана микросхема BGMC1210. В процессе работы были использованы базы данных ieeexplore.ieee.org и elibrary.ru, САПР Altium Designer.
The subject of the graduate qualification work is «Bias Circuits for GaN Transistors». Object of study is the bias circuits of GaN HEMTs, printed circuit based on the specialized BGMC1210 IC. The aim is to develop a schematic diagram and printed circuit board layout of an evaluation module based on the specialized BGMC1210 IC. The following tasks were solved: 1. Review of the literature on the topic of the work; 2. Study of the operational features of the BGMC1210 IC; 3. Development of a schematic diagram for setting the operating point of GaN transistors; 4. Development of a printed circuit board layout for the circuit that sets the operating point of GaN transistors. As a result of the work, the physical mechanisms determining the requirements for GaN HEMT bias circuits were studied. An analysis of existing discrete and specialized solutions was carried out. A schematic diagram and an evaluation board layout were developed, for which the BGMC1210 IC was chosen as the base component. During the work, the following information technologies were used: the ieeexplore.ieee.org and elibrary.ru databases, and the Altium Designer CAD softwareем.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|