Детальная информация

Объект – многослойная металлическая система NiCr/Ag/Au. Цель – исследование возможности использования системы как омического контакта и зеркала, влияние толщины NiCr на электрические и оптические характеристики. Проведён анализ литературы по контактным и зеркальным металлическим системам для оптоэлектроники. Разработан техпроцесс формирования NiCr/Ag/Au методом магнетронного распыления. Определены скорости осаждения слоёв, исследованы электрические и оптические характеристики. Установлено, что система обеспечивает качественный омический контакт к p-GaAs с удельным сопротивлением порядка 10⁻⁵ Ом·см². Коэффициент отражения на 900 нм достигает 96 % при толщине NiCr менее 1 нм. Результаты подтверждают перспективность NiCr/Ag/Au как покрытия, совмещающего функции омического контакта и тыльного отражателя в гетероструктурах A³B⁵. Использована прикладная программа OriginPro, проведен поиск информации в глобальных компьютерных сетях. Работа выполнена в лаборатории фотоэлектрических преобразователей Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН.

The object of this work is a multilayer NiCr/Ag/Au metal system. The goal is to study the feasibility of using the system as an ohmic contact and mirror, and the effect of NiCr thickness on electrical and optical characteristics. A literature review of contact and mirror metal systems for optoelectronics was conducted. A process for forming NiCr/Ag/Au using magnetron sputtering was developed. Layer deposition rates were determined, and the electrical and optical characteristics were studied. It was found that the system provides high-quality ohmic contact to p-GaAs with a resistivity of approximately 10⁻⁵ Ohm cm². The reflectivity at 900 nm reaches 96% with a NiCr thickness of less than 1 nm. The results confirm the potential of NiCr/Ag/Au as a coating combining the functions of an ohmic contact and a rear reflector in A³B³ heterostructures. The OriginPro application program was used, and information was searched on global computer networks. The work was carried out in the laboratory of photoelectric converters of the A. F. Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences.