Детальная информация

Данная работа посвящена обменному рассеянию в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Цель работы: проанализировать обменное рассеяние на нейтральных глубоких центрах в модели потенциала нулевого радиуса. Рассматривается система из двух электронов, локализованного и делокализованного, их обменное взаимодействие сильно влияет на механизм рассеяния. Их волновые функции были найдены благодаря методу потенциала нулевого радиуса. Были вычислены энергетические зависимости сечений рассеяния в разных спиновых каналах, сечения рассеяния с переворотом спина, поляризации сечения и вероятности переворота спина при рассеянии. В среде Matlab написана про-грамма, визуализирующая данные зависимости. Разработанная в работе методика применима к описанию полупроводников и полупроводниковых структур, в которых может быть отделено обменное рассеяния от других механизмов рассеяния. В дальнейшем возможно уточнение физической модели, применение разработанного метода к более сложным системам.

The given work is devoted to exchange scattering in semiconductors and semiconductor structures. The aim of the work is to analyze exchange scattering on neutral deep centers within the zero-range potential model. The study considers a system of two electrons – one localized and one delocalized – whose exchange interaction strongly influences the scattering mechanism. Their wave functions were obtained using the zero-range potential method. The energy dependences of the scattering cross-sections in different spin channels, the spin-flip scattering cross-section, the scattering polarization, and the spin-flip probability during scattering have been calculated. A program has been written in the MATLAB environment to visualize these dependences. The methodology developed in this work is applicable to the description of semi-conductors and semiconductor structures in which exchange scattering can be sepa-rated from other scattering mechanisms. Further refinement of the physical model and application of the developed method to more complex systems are possible.