Детальная информация

Работа посвящена исследованию монолитных интегральных схем малошумящих усилителей для X-диапазона частот и разработке топология кристалла малошумящего усилителя. Цель работы – разработка топологии кристалла малошумящего усилителя для диапазона частот 8-10 ГГц с коэффициентом шума не более 2дБ, коэффициентом усиления не менее 17 дБ и неравномерностью в полосе не более 2дБ. Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: 1. Разработка принципиальной схемы малошумящего усилителя с идеальными моделями элементов; 2. Разработка принципиальной схемы малошумящего усилителя с реальными моделями элементов; 3. Разработка топологии кристалла малошумящего усилителя; 4. Моделирование усилителя с учетом паразитных эффектов компоновки кристалла. В результате исследования: была разработана топология кристалла малошумящего усилителя для диапазона частот 8-10 ГГц с коэффициентом шума 1,39дБ, коэффициентом усиления 17,3 дБ и неравномерностью в полосе 2,5дБ.

Object of study is the design and optimization of monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low-noise amplifiers (LNA). The aim is to develop a die layout for a low-noise amplifier operating in the 8–10 GHz frequency range with a noise figure of no more than 2 dB, a gain of at least 17 dB, and a gain flatness within the band of no more than 2 dB. The following tasks were solved: 1. Development of a low-noise amplifier schematic with ideal element models; 2. Development of a low-noise amplifier schematic with real-world component models; 3. Development of a low-noise amplifier crystal topology; 4. Modeling of the amplifier, considering the parasitic effects of the crystal layout. As a result of the study, a die layout of the low-noise amplifier for the 8–10 GHz frequency range was developed, achieving a noise figure of 1.39 dB, a gain of 17.3 dB, and a gain flatness of 2.5 dB.