В учебном пособии рассмотрены процессы межзонных оптических переходов носителей заряда (прямые и непрямые переходы). Рассмотрены экситоны и их влияние на межзонное поглощение света. Также особое внимание уделено изучению влияния температуры на ширину запрещенной зоны. Наряду с теорией рассматриваемых явлений приведены экспериментальные данные. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Техническая физика», а также по другим направлениям, в учебных планах которых предусмотрено изучение оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наноструктур. Материалы учебного пособия могут быть использованы при изучении курсов «Оптические явления в полупроводниках» и «Физика полупроводников и наноразмерных структур» студентами старших курсов, а также аспирантами и научными работниками, специализирующимися в области полупроводниковой оптоэлектроники.

• Содержание
• Введение
• 1 Прямые межзонные переходы
• 1.1 Квантовомеханическая теория фундаментального поглощения для прямозонных полупроводников
• 2 Непрямые межзонные переходы
• 2.1 Квантовомеханическая теория фундаментального поглощения для непрямозонного полупроводника
• 2.2 Непрямые межзонные переходы в прямозонном полупроводнике. Многофононные процессы
• 3 Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры
• 3.1 Фактор Дебая-Уоллера
• 3.2 Фактор, связанный с деформацией решетки под действием температуры и давления
• 3.3 Механизм Фэна
• 4 Экситонное поглощение
• 4.1 Экситоны в полупроводниках
• 4.2 Расчет энергетического спектра экситонов большого радиуса
• 4.3 Экситон как возбужденное состояние кристалла
• 4.4 Экситонное поглощение света при прямых переходах
• Заключение
• Приложение А. Плотность состояний и статистика носителей заряда в низкоразмерных структурах
• Приложение Б. Примеры тестовых экзаменационных вопросов
• Литература