Детальная информация
Название | Физические основы электроники: учебное пособие |
---|---|
Авторы | Гнучев Николай Михайлович |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2021 |
Коллекция | Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция |
Тематика | Электроника ; Полупроводники — Физика |
УДК | 537.311.322:621.38(075.8) |
Тип документа | Учебник |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Код специальности ФГОС | 16.03.01 |
Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
DOI | 10.18720/SPBPU/5/tr21-78 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\66568 |
Дата создания записи | 19.04.2021 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Излагаются физические основы полупроводниковой электроники: особенности электронного строения полупроводников и их приповерхностной области, диффузия и дрейф носителей заряда, механизмы генерации и рекомбинации. Рассматриваются физические принципы и основные свойства различных полупроводниковых переходов, взаимодействие света с полупроводниками и p–n-переходами и светоизлучение. Предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки «Техническая физика» и «Электроника и наноэлектроника".
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- 1. Электронная структура кристаллов
- 1.1. Энергетические уровни атомов
- 1.2. Энергетические зоны кристаллов
- 2. Электроны и дырки в полупроводниках
- 2.1. Собственная проводимость
- 2.2. Примесная проводимость. Полупроводник n-типа
- 2.3. Примесная проводимость. Полупроводник p-типа
- 2.4. Распределение электронов по энергиям в пределах энергетических зон
- 2.5. Эффективная масса электрона. Квантовомеханическое понятие электрона и дырки в кристалле
- 2.6. Равновесная концентрация свободных носителей в собственных и примесных полупроводниках
- 2.7. Уровень Ферми на энергетической диаграмме собственного полупроводника
- 2.8. Взаимосвязь концентраций подвижных носителей и уровень Ферми в примесных полупроводниках
- 3. Движение носителей заряда в полупроводниках
- 3.1. Хаотическое движение
- 3.2. Дрейф подвижных носителей заряда. Дрейфовые токи
- 3.3. Диффузия подвижных носителей заряда. Диффузионные токи
- 3.4. Уравнение непрерывности
- 3.5. Взаимосвязь диффузии и дрейфа заряженных частиц
- 3.6. Движение носителей в сильных электрических полях
- 3.7. Эффект Холла
- 3.8. Термоэлектрические явления. Эффекты Зеебека и Пельтье
- 4. Генерация и рекомбинация носителей заряда
- 4.1. Тепловая генерация
- 4.2. Ударная генерация
- 4.3. Полевая генерация
- 4.4.Световая генерация
- 4.5. Рекомбинация подвижных носителей заряда. Механизмы рекомбинации
- 4.6. Диффузионная длина неосновных носителей в примесных полупроводниках
- 4.7. Время жизни неосновных носителей в полупроводнике. Уравнение генерации−рекомбинации
- 5. Поверхностные явления в полупроводниках
- 5.1. Особенности электронного строения приповерхностной области полупроводника
- 5.2. Эффект поля в полупроводниках
- 5.2.1. Режим обеднения
- 5.2.2. Режим инверсии
- 5.2.3. Режим обогащения
- 6. Контактные явления в полупроводниках
- 6.1. Идеальный электронно-дырочный переход (p−n-переход)
- 6.1.1. P−n-переход в равновесном состоянии
- 6.1.2. Прямое включение p−n-перехода
- 6.1.3. Обратное включение p−n-перехода
- 6.1.4. Вольтамперная характеристика идеализированного p−n-перехода
- 6.2. Контакт между полупроводниками одинакового типа проводимости с разной концентрацией примеси
- 6.3. Реальный электронно-дырочный переход
- 6.3.1. Обратное смещение. Токи генерации и утечки
- 6.3.2. Прямое смещение. Ток рекомбинации и влияние сопротивления базы
- 6.4. P−n-переход на основе вырожденных полупроводников
- 6.5. Пробой электронно-дырочного перехода
- 6.5.1. Лавинный пробой
- 6.5.2. Туннельный пробой p−n-перехода
- 6.5.3. Тепловой пробой p−n-перехода
- 6.6. Емкость p−n-перехода
- 6.6.1. Барьерная емкость
- 6.6.2. Диффузионная емкость
- 6.7. Переходные процессы в p−n-переходе
- 6.7.1. Установление прямого напряжения при подаче на переход скачка прямого тока
- 6.7.2. Установление постоянного обратного тока перехода при ступенчатом переключении напряжения с прямого на обратное
- 6.8. Переходы металл – полупроводник
- 6.8.1. Выпрямляющий контакт (барьер Шоттки)
- 6.8.2. Омический контакт металл- полупроводник
- 6.9. Гетеропереходы
- 6.1. Идеальный электронно-дырочный переход (p−n-переход)
- 7. Фотоэлектрические явления и светоизлучение
- 7.1. Взаимодействие оптического излучения с полупроводниками. Фо-топроводимость
- 7.2. Фоторезистивный эффект. Фоторезистор
- 7.3. Фотоэлектрический эффект в p−n-переходе
- 7.4. Излучение света полупроводниками
- 7.5. Инжекционные светодиоды с p−n-переходами
- 7.6. Полупроводниковые инжекционные лазеры
- Библиографический список
Количество обращений: 196
За последние 30 дней: 0