Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (7,1 Мб) Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В учебном пособии на примерах сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) и атомарно-силового микроскопа (АСМ) рассмотрены основные принципы сканирующей зондовой микроскопии. Изложены физические основы их действия, описаны современные конструкции СТМ и АСМ. Рассматривается результаты их практического применения к исследованию и диагностике полупроводниковых материалов и наноструктур.
Права на использование объекта хранения
Оглавление
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- Глава 1. Сканирующая туннельная микроскопия и локальнаятуннельная спектроскопия
- 1.1. Физические основы туннелирования
- 1.2. Принцмп работы СТМ
- 1.3. Конструкции современных СТМ
- 1.4. СТМ исследование топографии поверхностиполупроводников
- 1.5. СТМ/ЛТС исследование полупроводниковыхматериалов и структур
- 1.6. СТМ/ЛТС исследование графена намикроструктурированной подложке
- Глава 2. Атомарно-силовой микроскоп
- 1.1. Принцип действия АСМ
- 1.2. Применение АСМ для исследования полупроводниковых материалов и наноструктур
- Заключение
- Список использованной литературы
Статистика использования
Количество обращений: 3326
За последние 30 дней: 75 Подробная статистика |