Детальная информация

В данной работе представлены результаты исследования зависимости фотоэлектрических характеристик ИК-фотоприемников, изготовленных на основе трех структур XBn различного дизайна. Предлагается идея использования интерфейсов с взаимной компенсацией механических напряжений для достижения лучшего кристаллического качества барьерных структур. Также был проведен подробный аналитический обзор зарубежной литературы по теме исследования методов изготовления XBn-структур.

This paper presents the results of a study of the dependence of the photoelectric characteristics of IR photodetectors made on the basis of three XBn structures of various designs. The idea of using interfaces with mutual compensation of mechanical stresses to achieve better crystal quality of barrier structures is proposed. Also, a detailed analytical review of foreign literature was carried out on the topic of researching methods for fabricating XBn structures.

Текст публикуется с изъятием в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.06.2017 г. № 91.

• Введение
• Глава 1. Литературный обзор
  • 1.1. Предпосылки к разработке барьерных гетероструктур. Недостатки типичных ИК фотодиодов
  • 1.2. Конструкция барьерных фотодетекторов. Принцип работы
  • 1.3. Стандартная конструкция XBn
  • 1.4. Развитие барьерных детекторов на основе InAsSb
• Выводы и постановка задачи
• Глава 2. Образцы для исследования
  • 2.
  • 2.1. Дизайн и изготовление барьерных гетероструктур
  • 2.2. Планарный этап изготовления тестовых фотоприемников
• Глава 3. Методика исследования
  • 1.
  • 2.
  • 3.
• Глава 4. Результаты измерений
• Заключение
• Список литературы