Исследование влияния условий роста и особенностей дизайна XBn гетеростуктур на фотоэлектрические характеристики ИК фотоприемников, изготовленных на их основе: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_07 «Физика полупроводников» = Study of the influence of growth conditions and design features of XBn heterostructures on the photoelectric characteristics of IR photodetectors based on them
