| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
|
|
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Работа посвящена изучению физико-химических закономерностей процессов плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития на специально созданной установке с индуктивно связанной плазмой (ИСП). Определено влияние ряда технологических параметров (ВЧ мощность, напряжение самосмещения, давление в реакционной камере, состав газовой смеси и т.д.) на скорость травления указанных материалов. Проведено ранжирование технологических параметров по степени значимости их влияния на скорость травления. На основе полученных результатов разработаны технологии глубокого направленного высокоскоростного травления SiO2, SiC и LiNbO3 при пониженных значениях ВЧ мощности (менее 1000 Вт).
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
||||
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
||||
|
Интернет | Анонимные пользователи |
Оглавление
- Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Статистика использования
|
|
Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |