Детальная информация
| Название | Особенности получения приборных гетероструктур на основе материалов III - N: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_07 «Физика полупроводников» |
|---|---|
| Авторы | Новиков Сергей Андреевич |
| Научный руководитель | Рыков Сергей Александрович |
| Другие авторы | Краснова Надежда Константиновна |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2021 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
| Тематика | Полупроводниковые структуры; Кристаллы — Рост; молекулярно-лучевая эпитаксия; эпитаксиальный рост; гетероструктуры; molecular beam epitaxy; epitaxial growth; heterostructures |
| УДК | 537.311.322; 548.5 |
| Тип документа | Научный доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Аспирантура |
| Код специальности ФГОС | 03.06.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
| Права доступа | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\15095 |
| Дата создания записи | 15.10.2021 |
В докладе рассмотрены технологические особенности получения полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Полученные данные экспериментально применены для эпитаксиального роста гетероструктур на основе GaN/InAlN с двумерным электронным газом.
The report examines the technological features of semiconductor heterostructures by molecular beam epitaxy. The obtained data are experimentally applied to the epitaxial growth of heterostructures based on GaN/InAlN with a two-dimensional electron gas.
